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2018年邦内十大集成电途安排企业有那些精确先容

日期:2019-10-05 04:10 来源: 集成电路IC

  10月23日晚,国内一家半导体产业研究机构芯谋研究(ICwise)发布了《2018上半年中国设计产业研究报告》,其中包含了一份“2018年国内十大集成电路设计企业预测”的榜单,本文也会对此作简单的分析,以供参考。

  这份榜单是综合了国内IC设计企业上半年的市场需求、主要客户和主要供应链的数据,进行多轮验证得出的。例如海思的营收难以判断,芯谋研究的预测综合考虑了其供应链和华为手机的出货。

2018年邦内十大集成电途安排企业有那些精确先容

  对比集邦咨询去年给出的2017年中国IC设计企业10强名单,此次挤入10强的“新贵”有豪威科技、比特大陆、芯成(ISSI)、敦泰和紫光国微(当然两家的评判标准并不相同)。

2018年邦内十大集成电途安排企业有那些精确先容

  手机中国联盟秘书长老杳也曾指出,包括韦尔、士兰微、中星微并不能算作IC设计公司,士兰微算IDM厂商,韦尔是分立器件,中星微算是系统集成。

  因此,观众们认为应该如何排名,就见仁见智了,或者等待业内的“标准答案”中国半导体产业协会给出的数据吧!

  芯谋研究此次榜单最大的亮点在于豪威科技挤下了紫光展锐,比特大陆退居第四,成功被中资收购的ISSI也顺利排入榜单。下面给大家介绍一下中国10大IC设计企业。

  海思半导体是一家半导体公司,中国第一大IC芯片设计公司。海思半导体有限公司成立于2004年10月,前身是创建于1991年的华为集成电路设计中心。海思公司总部位于深圳,在北京、上海、美国硅谷和瑞典设有设计分部。

  海思目前是华为的子公司,相当于华为的一级部门,主要的目标客户就是华为,为华为提供所需的芯片。用海思干部部部长的话说:华为就是海思,海思就是华为。

  今年,海思研发的麒麟980芯片让世界为之惊艳。而海思今年的销售额增长很快,预估会超过80亿美元,超过联发科成为亚洲第一大Fabless设计公司,也将是第一家进入全球前十五大的大陆半导体公司。

  北京豪威是一家注册于北京的有限责任公司(中外合资)。北京豪威的主营业务通过其 OmniVisionTechnologies,Inc.,(简称 “美国豪威”)开展。美国豪威原为美国纳斯达克上市公司,于2016年初完成私有化并成为北京豪威的全资子公司。

  豪威科技的前身是美国豪威,是一家领先的数字图像处理方案提供商,主营业务为设计、制造和 销售高效能、高集成和高性价比半导体图像传感器设备。

  今年8月6日,韦尔股份与虞仁荣控制的上海清恩签署《股权转让协议》,约定上海清恩将其持有的北京豪威2556.06万美元出资金额以2.78亿元的价格转让给韦尔股份。8月15日,韦尔股份宣布正式收购豪威科技。

  紫光集团于2013年收购展讯通信,2014年收购锐迪科,并于2016年将两者整合为紫光展锐。目前紫光展锐拥有5000多名员工,其中90%以上是研发人员,并在全球设有16个技术研发中心及7个客户支持中心。

  整合后的紫光展锐致力于移动通信和物联网领域的2G/3G/4G移动通信基带芯片、射频芯片、物联网芯片、电视芯片、图像传感器芯片等核心技术的自主研发。

  紫光展鋭在今年完成两个品牌的整合后,加速向中、高端产品线布局,针对移动通信提出全新的芯片品牌“虎贲”,物联网芯片新品牌名称为“春藤”,“虎贲”取于古代著名军队虎贲军,意为似虎勇士,颇有与高通的“骁龙”系列互别苗头之意。春藤”代表着连接和旺盛的生命力,在物联网世界里,包括蓝芽、WiFi、远距离通讯等产品线,都寓意面向泛连接领域的春藤产品线似春藤蔓爬,互联万物。

  比特大陆生产的矿机占整个矿机市场 70% 的份额,旗下掌握的矿池算力超过比特币全网算力的 50%,过去 9 个季度总利润 32 亿美元,今年第一季度营业额高达 20 亿美元,比特大陆矿霸地位无可撼动。

  今年闹得沸沸扬扬的事情大家都知道,就是9月份比特大陆在港交所递交A1招股文件,正式启动了香港联交所主板上市的计划,中金公司为独家保荐人,拟以500亿美元估值上市。

  然而,比特大陆的 S9 矿机价格下降了 85%,实际上这样说并不合理。因为矿机早期产能不足,无论是厂家还是黄牛,手里都没有货,只能通过高价销售来控制出货量,导致3年没有更新的S9 矿机售价一跌再跌。加上今年币市崩塌影响,排名下滑似乎也是预料之中。

  汇顶科技是一家基于芯片设计和软件开发的整体应用解决方案提供商,目前主要面向智能移动终端市场提供领先的人机交互和生物识别解决方案,是安卓阵营全球指纹识别方案优秀供应商。与华为、OPPO、vivo、小米、中兴、魅族等知名品牌都有合作。

  今年9月,曝出了OPPO公司与汇顶科技关系破裂的消息,OPPO公司以不守信用为由封杀汇顶5年时间,主要原因是汇顶迫于某客户压力导致给OPPO的供应延期三个月,直到汇顶科技发发公告道歉才平息。

  不过这场风波没有影响到汇顶科技,10月份华为MATE 20系列亮相伦敦,同期发布的Mate 20 X首创性的配备支持高性能电容主动笔的AMOLED触控方案,该方案由汇顶科技独家提供。同时Mate 20 X和Mate 20搭载了汇顶科技盖板指纹方案。风光可谓一时无两。

  ISSI (芯成半导体有限公司)是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。

  芯成半导体一直都非常低调,事实上,成立于2014年的北京矽成主要经营实体为芯成半导体(ISSI)。ISSI原为美国纳斯达克上市公司,2015 年末完成私有化后成为北京矽成之下属子公司。

  华大半导体是中国电子信息产业集团有限公司(CEC)整合旗下集成电路企业而组建的专业子集团。旗下有三家上市公司资产规模100亿。在智能卡及安全芯片、智能卡应用、模拟电路、新型显示等领域占有较大的份额。其中,智能卡及安全芯片产品的出货量和销售额居中国市场第一,名列世界前五。

  中国电子信息产业集团有限公司(CEC)成立于1989年5月,是中央直接管理的国有独资特大型集团公司,是中国最大的国有IT企业。这是一家是中央管理的国有重要骨干企业。

  智能卡业务目前占华大半导体50%以上的业务量,不过在华大半导体的发展规划中,除了原有的智能卡、显示及多媒体、北斗导航之外,公司确立了计算机网络和工业控制两个保障国家网络安全和核心制造系统安全的领域。庞大的体系是华大半导体的优势,更别说还有CEC的撑腰。

  敦泰科技(FocalTech Systems)成立于2006年3月,设立于深圳市南山区高新区及台湾新竹。专注于TFT LCD平板显示驱动芯片,LED驱动芯片和电容式触摸屏控制芯片的设计研发制造及销售。 团队由美国硅谷,台湾和大陆的多名IC业界资深技术专家所组成。在LCD驱动,LED驱动,触摸屏控制,图像处理算法,数字信号处理,高速模拟电路设计等领域拥有丰富的经验。

  敦泰科技也是一家非常低调的企业,不过实力却是很强的:2010年支持联想成功推出主打触摸屏的LePhone手机;2013年支持vivo成功推出全球领先搭载“手势唤醒”功能的智能手机;2016年支持小米MIX成功量产,开创全面屏风潮;2017年,敦泰致力研发的IDC(内嵌式面板驱动触控单芯片方案)更是助力中国智能手机产业快速实现屏幕升级(全面屏)。

  兆易创新主要产品分为闪存芯片产品及微控制器产品。其中,闪存芯片产品主要为NOR Flash和NAND Flash两类。NOR Flash即代码型闪存芯片,主要用来存储代码及部分数据;NAND Flash即数据型闪存芯片,可以实现大容量存储、高写入和擦除速度、擦写次数千次以上,多应用于大容量数据存储;而微控制器产品主要为基ARMCortex-M系列32位通用MCU产品。

  按照此前NOR Flash竞争格局,美国企业赛普拉斯市占率为25%,排名第一;台湾两大巨头旺宏、美光市占率分别为24%、18%紧随其后,之后才是华邦电子与兆易创新。

  2017年2月,美光科技宣布剥离旗下NOR芯片业务,转而全力冲刺DRAM和NAND Flash。4月,赛普拉斯表示,将退出中低容量的NOR Flash市场,专注高容量的车用和工规领域。美光、赛普拉斯两大巨头的退出,令兆易创新升至世界第三的位置。

  今年,5月8日,紫光国芯股份有限公司发布公告宣布,紫光国芯股份有限公司(以下简称“公司”)于2018年3月28日召开的第六届董事会第十三次会议和2018年4月19日召开的2017年度股东大会审议通过了《关于公司名称变更并修改的议案》,决定将公司名称由“紫光国芯股份有限公司”变更为“紫光国芯微电子股份有限公司”,公司英文名称由“Unigroup Guoxin Co., Ltd.”变更为“Unigroup Guoxin Microelectronics Co., Ltd.”,公司证券简称也由“紫光国芯”变更为“紫光国微”。

  紫光国微聚焦集成电路芯片设计领域,业务涵盖智能安全芯片、高稳定存储器芯片、自主可控FPGA、半导体功率器件及超稳晶体频率器件等方面,已形成领先的竞争态势和市场地位。

  10月份,继公司更名、董事长赵伟国卸任、实控人变更等一系列调整后,紫光国芯微电子股份有限公司发布公告,将以2.2亿转让公司旗下专注于DRAM存储器芯片设计研发的西安紫光国芯半导体有限公司(以下简称“西安紫光国芯”)给紫光集团下属全资子公司北京紫光存储科技有限公司(以下简称“紫光存储”)。

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  02 NOR门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有门带缓冲输出,具有高抗扰度,可以驱动10个LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电源电流:20 μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 高输出电流:4 mA(最小值) 应用 这个p产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  00 NAND门利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗。所有栅极都有缓冲输出。所有器件都有高抗扰度,并且能够驱动10 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:8 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:20μA,最大值(74HC系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  U04反相器利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL门电路相似的操作速度,同时保持了标准CMOS集成电路的低功耗.MM74HCU04是一款无缓冲反相器。它具有高抗扰度,并且能够驱动15 LS-TTL负载.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:7 ns 15 LS-TTL负载的高扇出 静态功耗:室温条件下最大值为10μA 低输入电流:1μA,最大值 应用 本产品是一般用途,适用于许多不同的产品应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HCT逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS MM.7HCT器件专用于TTL和NMOS组件与标准CMOS器件之间的接口。另外,这些器件也是LS-TTL器件的插件替换件,而且可用于降低现有设计的功耗。 特 典型传播延迟:20 ns 低静态电流:40μA,最大值(74HCT系列) 低输入电流:1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 兼容TTL输入 应用 此产品是一般用途,适用于许多不...

  595高速移位寄存器采用先进的硅栅极CMOS技术。此器件具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。它包含一个8位串进并移位寄存器,可以馈入8位D型存储寄存器。该存储寄存器具有8个3态输出。移位寄存器和存储寄存器都提供独立的时钟。移位寄存器具有直接覆盖清零,串行输入和串行输出(标准)引脚,以用于级联。移位寄存器和存储寄存器都使用正边沿触发时钟。如果两个时钟连接在一起,则移位寄存器状态始终比存储寄存器提前一个时钟脉冲.74HC逻辑系列在速度,功能和引脚输出上与标准74LS逻辑系列兼容。所有输入通过钳位至V CC 和接地的内部二极管加以保护,以免因静电放电而受损。 特性 低静态电流最大值(最大值) / ul

  带存储功能的8位串进并出移位寄存器 宽工作电压范围2V-6V 可级联 移位寄存器具有直接清零引脚 保证移位频率:DC到30MHz 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...

  164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型工作频率:50 MHz 典型传播延迟:19 ns(调时至Q) 宽工作电压范围:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 该产品是一般用途,适用于许多不同的应用...

  373高速8路D类锁存采用先进的硅栅极CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何.74HC逻辑系列在容量。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入[0]

  输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  573高速八路D型锁存器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于输出控制OC输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么74HC逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状态如何。和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  T74利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与时钟无关,通过适当输入端的低电平实现.74HCT逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC...

  175高速D型触发器带互补输出,采用先进硅栅极CMOS技术达到标准CMOS集成电路的高抗干扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的能力.MM74HC175 D输入信息在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部提供原码和补充输入。所有四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR控制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完成。所有四个Q输出被清零至逻辑“0”,所有四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:15 ns 宽工作电压范围:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 应用 此产品是一般的用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口.D输入端符合设置和保持时间要求的数据在时钟(CK)输入的正向转换期间传输到Q输出。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何。 74HC逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延:18 ns 宽工作电压范围2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...

  74A利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。在这里(CK)输入的正向转换过程中,D输入端的数据(符合设置和保持时间的要求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...

  线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...

  MC33160 线系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...

  530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...

  NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

  2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...

  2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和播放时间 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...

  NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

  9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和播放时间 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...

  系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...

集成电路IC

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