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Vishay的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通

日期:2019-11-26 10:04 来源: 场效应管

  对于电源管理中的负载和电池开关,以及智能手机、平板电脑、移动计算设备、硬盘驱动器和固态驱动的同步降压转换应用里的控制开关,-12 V SiA467EDJ提供了13mΩ(-4.5V)的极低为14.5mΩ(-4.5V),-30V SiA449DJ和SiA483DJ的导通电阻分别只有20mΩ(-10V)和21mΩ(-10V)。另外,SiA437DJ和SiA467EDJ的电流等级高达30A,承受很大的涌入电流,可用于负载开关。

  器件的低导通电阻使设计者能在其电路中实现更低的压降,更有效地使用电能,并延长电池寿命,同时这些器件的超小PowerPAK SC-70封装可以节省宝贵的电路板空间。对于小型负载点(POL)DC/DC和其他同步降压应用,MOSFET的P沟道技术不需要使用电平转换电路或“自举”器件,简化了栅极驱动的设计。

  SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

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